Edaboard.com

Forum ID => Arsip => Topic started by: tandr on February 28, 2001, 06:33:32 AM

Title: Apakah yang dimaksud tegangan saturasi bipolar dan MOS?
Post by: tandr on February 28, 2001, 06:33:32 AM
Saya membaca beberapa teks pada tegangan rendah op-amp dan desain
dikatakan bahwa "memiliki transistor bipolar yang relatif rendah
saturasi tegangan, sehingga menurunkan tegangan suplai
ada t banyak masalah ". Jadi dapat cascode
digunakan dalam bipolar tapi tidak MOS op-amp dengan rendah
tegangan suplai.
Tapi, ketika aku berpikir, MOS transistor 's D harus lebih tinggi
dari S beberapa ratus dari pabrik V, tetapi C bipolar
harus lebih tinggi dari 0,5 V E.Jadi kesimpulan saya adalah
MOS dapat digunakan dalam cascode, tapi tidak bipolar.
Apakah aku benar?

Title: Apakah yang dimaksud tegangan saturasi bipolar dan MOS?
Post by: tandr on February 28, 2001, 06:33:32 AM
Masih tidak ada yang membantu saya?

Title: Apakah yang dimaksud tegangan saturasi bipolar dan MOS?
Post by: MK28 on February 28, 2001, 06:33:32 AM
Anda dapat menggunakan MOS dan bipolar untuk cascoding .. tergantung pada minat Anda

Title: Re:Apakah yang dimaksud tegangan saturasi bipolar dan MOS?
Post by: Ilham Ilahiya on October 08, 2013, 08:08:13 AM
Daerah jenuh (saturasi) adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut (knee) VK. Daerah jenuh terjadi bila sambungan emiter dan sambungan basis berprasikap maju. Pada daerah jenuh arus kolektor tidak bergantung pada nilai IB. Tegangan jenuh kolektor – emiter, VCE(sat) untuk transistor silikon adalah 0,2 volt sedangkan untuk transistor germanium adalah 0,1 volt. ;D