Author Topic: conductor de potencia MOSFET  (Read 2707 times)

Luis Blaugen

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conductor de potencia MOSFET
« on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Tengo el siguiente circuito oscilador que sa relajación: R cargos C (cuando MOSFET se encuentra en estado de saturación) y la C, cuando llega a su límite máximo de tensión (83 V aproximadamente),
tengo  que abrir el MOSFET para iniciar la gestión con la C, pero el aislamiento de la R, porque tengo que cortar esta parte del circuito.
Trato de abrir el MOSFET con un 1 a la base del transistor 2N2222, de modo que el opto-aislador llevado encender su transistor (de hecho, no puede darse cuenta de esto, obtener una VSAT de alta, casi el valor de la oferta), cierre de la CE de la unión BC639 y abra el MOSFET.
Todo esto sería el ideal que yo pretendo que suceda, pero yo no no darse cuenta de mi propósito, porque siempre se lleva a cabo el MOSFET.
I adjunto esquema del circuito.

Cuadro cierto: Base
vs  2N2222 MOSFET estado:
base = 0 then MOSFET estrecha (Saturación)
base = 1, entonces MOSFET está abierto

No si mi circuito no tiene una solución, ¿por qué se puede impulsar el MOSFET?
Gracias y disculpe mi gramática, yo no soy americano.
Luis Blaugen.
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pauloynski

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Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #1 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
¿Qué pasa con un circuito como este?



Creado después de 3 minutos:D1 Diodo puede todavía realizar algunos de los actuales, pero creo que se puede modificar el circuito para hacer frente a este problema.


Kral

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Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #2 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Luis Blaugen,
Usted no menciona el número de parte de la optoisolator, así que no puedo dar una respuesta definitiva.Sin embargo, es posible que la salida del transistor de la optoisolator no pueden suministrar suficiente corriente a través de la resistencia de 2.2K para poner la base de voltaje lo suficientemente alto como para llevar a cabo la 2N2222, y su vez fuera de la FET.Usted puede tratar de aumentar el valor de la resistencia de 2.2K.
Recuerdos,
Kral


FVM

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conductor de potencia MOSFET
« Reply #3 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
En el circuito original, el MOSFET es inmediatamente perjudicados por el alto Vgs negativo, no puede trabajar de esta manera.pauloynski
del  circuito es básicamente sugirió OK en relación con la carga de acción.Pero a medida que el circuito original, no puede descargar el condensador, que es incluso el mantenimiento de un constante corriente de carga a través de R2.Asimismo, no puede cobrar el condensador hasta la plena tensión de alimentación.


Luis Blaugen

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Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #4 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Continúo con la explicación de mi circuito: hay 2 electrodos para conectar un terminal positivo de C y el otro a GND, es muy poco espacio entre ambos, y cuando el C cargos saltar una chispa entre los electrodos, y luego C vertidos.Mi intención es cuando C vertidos, se detiene por el transformador de corriente de 83V la fuente de alimentación, por el puente rectificador, por la resistencia y por los MOSFETs.Por favor, si me responden, me puso los componentes de valores, o mejor, ¿cómo llegar a estos valores.
Pauloynski: puede usted me puso los componentes valores.D1 Diodo cuando aún puede realizar algunas de las actuales?
FVM: No No entiendo cuándo y cómo se produce la negativa de alta Vgs.
la optoisolator es un 4N26.por favor, si me responden con un esquema de un circuito, me puso los componentes valores.
gracias


FVM

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conductor de potencia MOSFET
« Reply #5 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
El transistor de conmutación en
la  que todo el condensador voltaje Vgs.

Yo creo, será muy difícil de producir chispas sólo en 80V.


pauloynski

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Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #6 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Uhhhh!Estoy de acuerdo con la FVM.Con 80V sería muy difícil obtener una chispa a menos que su brecha de unos pocos micrones de ancho (o menos).Por favor, háganos saber Wath es su tasa de repetición deseado para este circuito.En el dircuit I »he sugerido que puede utilizar los mismos valores que usted envió en su circuito.El diodo Zener 20V voltaje debe ser igual o inferior, ya que se utiliza para prevenir Vgs para salir de las especificaciones
del  transistor.


Luis Blaugen

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Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #7 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
gracias amigos.hoy voy a intentar preparar una explicación de lo que quiero.ahora, el circuito está funcionando, pero tengo que hacer varios cambios a la perfección misma.
gracias de nuevo.
Luis


Luis Blaugen

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Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #8 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Voy a tratar de explicar:
Mi máquina es un EDM (máquina de descarga eléctrica), que elimina la corrosión de metales por chispa.Si no sabe qué hace un EDM, se utiliza básicamente un montón de chispas eléctricas a máquina fuera de metal.Puede usarlo para hacer cosas que son difíciles, si no imposible, hacer cualquier otra manera.Dependiendo de la forma del electrodo se puede hacer agujeros cuadrados o lo utilizan para cortar o hacer agujeros en materiales que son difíciles de utilizar las herramientas normales de la máquina.Un buen ejemplo de ello sería utilizar para eliminar la rotura de un grifo en el agujero.
Hay 2 electrodos: ánodo (electrodo de cobre,
conéctese  al negativo de la fuente de alimentación) y cátodo (pieza de acero, conectarse a positivo), además, hay fluidos dieléctricos e entre ambos electrodos, que oficia como un medio para hacer la chispa (permite el electrodo de abordar el trabajo muy de cerca antes de saltar la brecha de tasas).La diferencia de tensión es entre el 70 y 90 VCC (I operar con 83 VCC).
Ahora, mi máquina está trabajando, pero tengo que hacer varias reformas, porque quiero que funcione mejor.
Hay un transformador, un puente rectificador, un condensador de filtro y un oscilador de relajación compuesto por una serie RC netas; el C está conectado en paralelo con los electrodos: cuando la tensión en el C llega a la ruptura de tensión del fluido, esta tensión se perfora, y saltar una chispa entre los electrodos.
Este principio es útil, por ejemplo, para taladrar los agujeros en el acero templado, aún en carburo o erosionar cavidades en un dado.El electrodo tiene una forma positiva y la pieza sigue siendo negativo (bajo relieve).
Puse un MOSFET entre R y C: se apaga el circuito de recarga cuando la chispa que está sucediendo, o cuando se produce un cortocircuito, fluye corriente de detener el suministro de energía durante la descarga de chispa, que es especialmente importante si el electrodo está en cortocircuito y soldados con el trabajo.Tengo que abrir el MOSFET cuando iniciar la descarga C, el aislamiento de la R, transformador, puente rectificador de la fuente de alimentación adecuada y el MOSFET para evitar daños, y así cortar esta parte del circuito que no es necesario cuando condensador vertidos, porque yo sólo quieren que sólo me dan la energía que requieren.
Procedimiento: cuando C es cargado, la cabeza de la máquina vaya hacia abajo, cuando el electrodo está muy cerca a la pieza una serie de salto de chispa (MOSFET abierto) hasta el umbral de tensión de C llegar casi a cero,
sino  que tarda unos segundos, entonces subir la cabeza, MOSFET cerrado (C comenzar a recargar), y continuar con el proceso.Obviamente, hay un motor que mueve el electrodo y un controlador de motor paso a paso a bordo,
la  retroalimentación con la salida que controla el proceso.
Espero que tienen que explicar mejor posible.
Lo siento mi gramática y gracias amigos por esta mano que me llevan sin intereses.
Luis (03-27-09)

Pauloynski: conectar el RG a la fuente de alimentación, me conecto a la final de la investigación que está en contacto con el drenaje.S ¿Qué la diferencia?


pauloynski

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Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #9 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Gracias Luis.Yo sé cómo funciona.He conectado directamente a la puerta de la resistencia a Vcc porque el MOSFET Vgs necesita una tensión de aproximadamente 3 a 5 voltios para llevar a cabo.Si se conecta a la resistencia de esta fuga, el MOSFET apenas entrar en saturación.Si su tasa de repetición es bajo este no es un problema.Además, el circuito que he propuesto muestra una pequeña corriente residual cuando se cortó.Esta corriente fluye hacia el capacitor de salida por la puerta y la resistencia de ZENNER diodo.Este diodo se colocó para proteger a la puerta porque la tensión Vgs no suba más de 20 o 30 V (por favor, eche un vistazo a las especificaciones del MOSFET),
de  lo contrario pueden ser destruidos.Puede aumentar el valor de esta resistencia, en cierta medida, para disminuir la corriente residual.Después de 1 hora 53 minutos:Este circuito no muestra ninguna corriente residual.Por favor, tamaño en función de sus resistencias de disipación de energía.



Se nota que este circuito se invierte la lógica de la original: cuando se está llevando a cabo Q1 corta la corriente de salida.Puede hacer frente a este por la simple eliminación de la Q1 circuito siempre que haya suficiente corriente para conducir directamente el optoacoplador.Puede aumentar el valor de R1 a 2k2 si tiene problemas en su conducción.Creado después de 9 minutos:Una duda:
He  visto este tipo de máquinas que trabajan con mucho más grandes condensadores en la salida.¿Por qué utilizar un valor pequeño?¿Es un tipo electrolítico?Si es así creo que van a tener algunos problemas con su ESR.


Luis Blaugen

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Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #10 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Estimado Pauloynski:
Mi máquina tiene 5 capacitores: 47, 100, 220, 470 y 940ľF, todos los condensadores electrolíticos de tipo, y cada uno tiene su paralelo 1MΩ ˝ W resistencia; me puede seleccionar uno por uno a título individual o grupo de ellos juntos, la elección de cada uno con un interruptor.Esta máquina también se le llama Lazarenko EDM, y hoy es un método rudimentario de la erosión: la gente no puede erosionar los agujeros con superficies pulidas por este método, pero
estoy  tratando de diseñar una nueva máquina con un generador de impulsos de alta frecuencia alias modulador; este genera miles de chispas por segundo, y cada chispa diminuta erosiona un pequeño agujero en el trabajo.Este acabado de superficie de metal es mucho más suave que el modelo anterior construí, y la erosión producto a un ritmo más regular.Hay 2 versiones de este: una máquina que funciona con muy pocos valores de capacitancia, y otro, más pretencioso, cuando el oscilador se crea con un LM555 la conducción de un interruptor de encendido-transistor.No hay información en la red, ni los libros, que explican esto, así que trabajar más de lo que espero con el método de prueba-error.Me lleve 4 años que mi máquina, porque vivo en Argentina, un país agro-ganadero,
y  no industriales como la suya, es difícil y costosa la compra de componentes y partes mecánicas (la cabeza o el embrague), y hay inclusive integrar circuitos que no entrar en el país.
EVR y interesant cosa que pensar a mí, por favor enviarme.
Acerca de su último comentario: ¿Qué problemas con su RSE?Calor por ejemplo?Yo digo que mi condensadores de calor suficiente, no demasiado, pero con la mano me toca y tomo nota de que se caliente.¿Existe algún tipo de solución, aparte de la sustitución por baja ESR condensadores?
Gracias de nuevo.
Atentamente: Luis.
Además, se puede establecer en el lugar de su Q2 organizar un paralelo, de 2 de unirse a su IRFP260 MOSFETs S y D, y poner en sus puertas de 10 ohmios resistencias y,
a  continuación, poner junto lo contrario conduce de las resistencias a la señal?Es bueno este valor de resistencias y los tipos de MOSFETs?


pauloynski

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Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #11 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Hola Luis: baja capacitancia electrolytics puede mostrar un ESR en el orden de unas decenas de ohmios, que
es la  razón por
la  que el calor.La VSG se diferencia de marca a marca y normalmente aumenta mucho durante toda la vida.Ahí
es  donde usted puede entrar en problemas.Si usted no puede conseguir más baja ESR puede intentar añadir algunos que no electrolítico en paralelo con la disminución de
la  RSE (no una buena solución, pero puede ayudar).Casi cualquier otro tipo de hacer el trabajo.Por la elevada capacidad de final me gustaría sugerir el uso de unos condensadores electrolíticos en paralelo.Esto le ayudará a la realización de grandes cantidades de corriente a través de muchos cables en lugar de uno solo.Creado después de 37 segundos:Esto parece ser un buen trabajo.Buena suerte.


FVM

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Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #12 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Creo que, en aplicaciones de electro erosión, no ayuda a la menor utilización de baja ESR condensadores en paralelo.Hacer que el total es de alta capacidad durante el pulso, el principal (electrolítico) condensadores ESR aún determina las pérdidas y alcanzables pulso actual.

Por lo que yo entiendo la técnica, un alto actual es decisivo para la erosión de efectividad.He leído acerca de la evaporación de metales en 20000 a 30000 K. O en un flujo de energía opinión, una mayor ESR significa que una parte menor del condensador de energía almacenada se utiliza para el proceso de erosión.

Por otra parte, la película de condensadores en el 100 hasta 1000 y más uF gama están disponibles para aplicaciones de electrónica de potencia.Ellos son bastante voluminosos y más caros que los tipos electrolítico.Lamentablemente, también es no garantizado, que pueden soportar el pulso a las corrientes de electro erosión en las aplicaciones en cualquier caso, sólo porque lograr considerablemente mayor que las corrientes electrolíticas tipos.Pero sería, posiblemente, para limitar el pico de corriente de descarga a la seguridad por importes inductores.

No sé el estado de la técnica industrial con sistemas electro erosión, pero espero que el cine actual y capcitors inductores limitar, si es necesario.


pauloynski

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Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #13 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Estoy de acuerdo con FVM pero mi concierto se acerca cada vez más la vida útil de los condensadores, no les gusta el calor.Puede ser alguien más podría ayudar en la solución de este problema.


Luis Blaugen

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Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #14 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Queridos amigo Pauloynski y FVM: Te lo agradezco mucho su ayuda desinteresada.
¿Qué pasa con mi comentario acerca de MOSFETs en paralelo?S Es correcto?
Gracias de nuevo.


pauloynski

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Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #15 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Rápidamente en un MOSFET necesita una gran fuente de corriente a la puerta con el fin de cargar la capacitancia.Después de que casi no se cobra más actual que se necesita.El circuito que
ha  propuesto hace a través de una resistencia de 4K7 conectada a la fuga (o el suministro de 80V), que la fuente sólo una fracción de los actuales.Esto significa que no llegan al mínimo Rdon por un tiempo y que es una mala condición desde el MOSFET de calor y no cargar el condensador de salida tan rápido como usted necesita.El tiempo para cargar el condensador de salida será también dependen del valor de la resistencia de serie conectado a la fuga.Con el fin de comenzar con cualquier cálculo que debe definir la tasa de repetición que desea que la recarga.En su circuito, colocar una resistencia de 10Ω en serie con las puertas, no tiene sentido ya que existe una resistencia mucho mayor (4K7) en serie con ellos.En mi opinión esto no es una buena solución.Puede intentar usar un MOSFET más potente (puede ser menor con Vds., 150 o 120 parece ser suficiente si no hay carga inductiva), o una puerta lateral de alta como conductor http://www.innovatia.com/Design_Center/High- lado% 20Drivers.htm Además, a medida que incrementa la tasa de carga también lo hace el calor en la salida de los condensadores.


Mr.Cool

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conductor de potencia MOSFET
« Reply #16 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
cambiar el MOSFET a una lógica de tipo y nivel de la unidad directamente en lugar de VCC.


FVM

  • Guest
conductor de potencia MOSFET
« Reply #17 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Yo todavía no se preocupan por el tipo MOSFET implicados y la posible necesidad de más poder o la capacidad actual.Un circuito paralelo no es un problema.Su puerta es bastante circuito de alta impedancia,
por  lo que el individuo puerta también resistencias no son críticos y puede tener cualquier valor entre 10 y 100 ohmios.

Entiendo que el circuito se basa en el uso de una resistencia de carga y el funcionamiento del FET como un interruptor.El mínimo de caída de tensión de Vgs, es un grave inconveniente de todas las variantes de circuitos discutido.Utilizando la lógica nivel MOSFET puede reducir, pero no eliminarla.Lamentablemente, también limita la elección de los dispositivos adecuados.

Una solución más general sería uno de lo siguiente:
- Una OGP-FET
- Circuito utilizando una puerta de arranque
- Un conductor aislado puerta respectivamente un auxiliar de suministro de voltaje se apilan a V .Hacer que el voltaje de entrada AC es la oferta con un puente rectificador, hay bastante simple duplicación de circuitos de tensión disponible (2 2 pequeños diodos condensadores).

PD: A modo de conmutación de ciervo con convertidor de corriente constante de salida sería una solución óptima a mi opinión.La corriente de carga puede ser fácilmente programado en este caso.


pauloynski

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Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #18 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Se adjunta algunos artículos y diagramas sobre este tema.Utilizarlos como guía en su proyecto.
Lo sentimos, pero necesita acceso para ver este archivo adjunto


FVM

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Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #19 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Gracias por la compilación.Teniendo en cuenta el hecho de que por ejemplo, Esp @ cenet tiene más de 1500 visitas de patentes relacionadas con "electro erosión", puede ser sólo un fragmento de código arbitrario de la literatura disponible.Como ya se dijo, no tengo más que una comprensión básica de la operación básica principio.Por lo tanto es valioso, al menos para mí.Luis como EDM práctica más probable es que el hombre tiene su propia opinión sobre la literatura presentado.Pero algunos de ellos también se examinan los detalles y los circuitos eléctricos que pueden ser interesantes ya por esta parte.


Luis Blaugen

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Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #20 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Estimado Pauloynski, FVM, y los otros amigos:
Mi máquina opera por períodos de 3,5 a 7 segundos de la erosión (chispas continuas) y 1 segundo de pausa (sube la cabeza, c recarga, y luego se cae).Estos son los valores estándar, y también puede ser modificated (por ejemplo, aumentar la pausa de 3 segundos).Ahora que tiene más idea de mi proyecto, y ahora ya he visto el sitio www.innovatia.com,
tengo  algunas preguntas: ¿qué circuito es adecuado para mí: La 2 ª mucho mejor de un circuito Noninverting directo Junto Alto-Side conductor de este sitio, su último diseño, o de otro tipo?
Mi segunda etapa, se construyeron un oscilador, puede ser con un LM555, que aprovechará la potencia de salida MOSFET / s, que va de la tonelada = 0,9 mseg y Toff = 0,1 mseg (f = 1KHz) hasta tonelada = = Toff 5ľseg (f = 100 KHz); todos estos valores me dio un antiguo ingeniero electrónico argentino descendiente de irlandeses, que se iniciará en la época de las válvulas (tubos de vacío, como triodes) que hace 30 años hizo la primera de EDM Sud América.¿Puede el diseño de mi circuito completo?, Porque yo diseño, pero mis valores son extraños, y mi forma de relación con el MOSFET se extraña demasiado.
Esta semana me voy al centro a comprar los componentes.
Gracias.
Luis.


pauloynski

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Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #21 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Hola Luis: en mi opinión, el tercer circuito se muestra en www.innovatia.com es bastante superior.La capacidad para aplicar hasta 15 V a la puerta del MOSFET traerá a su nivel más bajo posible Rdson (no el caso con el circuito).Sin embargo, este circuito necesita una alimentación especial, señaló que VGH, que debería ser algo como 20V superponen en su voltaje de salida.Esto puede hacerse fácilmente con una pequeña flota de tensión obtenidos a partir de casi cualquier adaptador.Ten en cuenta también que la entrada del transistor (2N3904)
tal vez  no le gusta trabajar con un alto voltaje resultante (unos 100 V) en su colector,
por  lo que es mejor cambiarla (un BD139 podría utilizarse).Un alto bootstraped lado conductor no tendrá que utilizar esta oferta adicional.Hay un montón de fabricantes (IR, Fairchild, Onsemi, ST, etc) en el mercado.Si desea utilizar un LM555 para generar los impulsos de timming,
por  favor, google por un rato y encontrará un montón de cosas como http://ourworld.compuserve.com/homepages/Bill_Bowden/555.htm Sin embargo, creo que es tiempo para considerar la posibilidad de utilizar una pequeña MCU (como un Atmega8 u 8

Fresco

para hacer esto.Las ventajas son evidentes: los pulsos repetitivos y fiables y la posibilidad de añadir un teclado y pantalla LCD para el sistema.


Luis Blaugen

  • Guest
Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #22 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Sin embargo, si su última opto acoplada circuito me traerá buenos resultados, prefiero construirlo, ya que no necesita otra fuente de alimentación.
Cuando usted dice: VGH debería ser algo como 20V superpuestos en su voltaje de salida No No entiendo si VGH = o 20v (20v
83  v) y que es el voltaje de salida (el número de voltios).A veces,
tengo  algunos problemas con la poca comprensión de la gramática.
Para mí es difícil comprender la media de la palabra de arranque, así que no no entiendo lo que es un alto bootstrap lado conductor.Es un tipo de información tal vez?Además, yo no sé lo que es un MCU.
Lo siento mi persistencia, pero quiero entender y tengo nadie, excepto usted, a preguntar.En todo momento trato de encontrar la manera de dar vuelta este favor.
Gracias de nuevo.
Luis.


pauloynski

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Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #23 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Hola Luis: el conductor no está en condiciones de conducir el MOSFET.Si lo usa usted debe esperar que el MOSFET de calor mucho más que si utiliza el controlador correcto.Mediante la superposición de VGH me refiero a añadir esta tensión a la tensión de carga (es decir, la conexión de su negativa de referencia (o tierra) para el lado positivo de la tensión de carga) y es por eso que estas tensiones deben ser independientes (variable) con respecto a los demás.El MCU es un micro-controlador de la unidad o de un microprocesador.Un circuito bootstrap obtiene esta tensión por un pequeño condensador de carga cada vez que enciende su circuito.Google por un rato y encontrará un montón de circuitos como este http://www.linear.com/pc/downloadDocument.do?navId=H0, C1, C1003, C1142, C1041, P2382, D1706


FVM

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conductor de potencia MOSFET
« Reply #24 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Aunque se ha mencionado anteriormente que una puerta de arranque del controlador, no
estoy  seguro de si una norma IRF highside conductor CI trabajo.En su circuito habitual, es necesario que el voltaje de salida para ir a cero entre los pulsos de alta, esto no debe ser el caso necesario durante la descarga.También grandes condensadores de arranque sería necesario con los ciclos de operación de 1 ms.

Yo era más bien el pensamiento de una solicitud específica del circuito de arranque.También mencionó la variante de suministro auxiliar, que ha sthe ventaja de no depender de un particular, de bajo voltaje de salida entre los pulsos.


Luis Blaugen

  • Guest
Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #25 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Según tengo entendido, en el circuito número 2 de esta serie (véase el apéndice) es el único cambio de la reforma 2N3904 por un BD139, la conexión a tierra es la tierra de los 5V que ya tengo, y entre esta tierra y la base de la BD139 pongo en el circuito con un nivel de 5V, la VGH está conectada a la terminal 20V de un suministro, cuya terminal está conectada a
83  Vcc la chispa de mi fuente de alimentación, y estas son todas las conexiones entre la fuente de 20 V y el circuito.It s ok?
Entiendo que hay lógica de nivel tipo MOSFETs droved directamente de VCC, y también hay convertidores Buck, pero tengo que decidir una de estas opciones, con su ayuda, y, por tanto, definir el circuito final con todos los los valores de los componentes.
Lo siento si a veces yo no entiendo nada no.
Gracias de nuevo.
Luis.
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pauloynski

  • Guest
Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #26 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Si no me hacen ningún error de su conductor debe tener este aspecto.Puede utilizar 2 MOSFETs en paralelo si quieres (simplemente conectar la fuente y el drenaje en paralelo y añadir una resistencia de 10Ω a cada puerta).



Creado después de 3 minutos:Se pueden eliminar (cortocircuito) R5 si quieres, pero en este caso usted
tendrá  que colocar un pequeño disipador de calor sobre el BD139.


Luis Blaugen

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Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #27 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Gracias amigo.Tan pronto como sea posible, yo voy a cambiarlo.
Próximos días ll Espero estar escribiendo en este foro acerca de mi éxito, y le molestan las preguntas sobre otra electrónica.
Saludos cordiales.
Luis.


FVM

  • Guest
conductor de potencia MOSFET
« Reply #28 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
El circuito de suministro auxilarx tiene la principal ventaja de la baja caída de tensión, por lo tanto, la disipación de potencia MOSFET se reduce y el condensador se puede cargar hasta la tensión de alimentación.

Pero no totalmente, como se muestra en Aceptar.Un curso para limitar Q3 colector actual, ya sea por resistencia o por un giro en la P3 es una fuente de corriente necesarios.

Si cambia los lugares de R1 y T1 (junto con el circuito conectado puerta), Q1 fuente sería permanecer en el V en el nivel estatal, excepto por un breve transición.


pauloynski

  • Guest
Re: controlador de potencia MOSFET
« Reply #29 on: December 05, 2004, 04:02:55 AM »
Gracias FVM.Yo no affraid sobre la limitación de las corrientes de irrupción.He copiado el circuito como lo fue con algunas modificaciones.No
estoy  haciendo el proyecto, tratando de ayudar.La fuga de corriente ya está limitado por la resistencia de 7R8 y pensé que la limitación de la puerta actual sería de ninguna ayuda.Además, como el autor original del circuito (supongo) también se piensa, no puede Q3 fuente tan grande que el actual MOSFET puede estar dañado.En cualquier caso, la colocación de una pequeña resistencia en serie con la puerta es una buena sugerencia (y Luis,
por  favor, tome en cuenta algunos pequeños problemas, porque puede no ser evidente durante el desarrollo, pero puede provocar problemas graves durante la vida útil de un producto).


galmendrades

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Re:conductor de potencia MOSFET
« Reply #30 on: May 11, 2013, 12:14:15 AM »
Interesante el tema en discusion. En realidad me fascina mucho la electroerosion.ç
Me podrian dar mas alcances?

 

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