Em anexo é algumas notas sobre o efeito da antena no Layout IC Design.As notas explicam que para evitar o efeito antena precisamos fazer uma descontinuidade em metal 1.Significa que temos de ligar metais 1 para 2 de metal e ligar novamente para metal 1.E se eu ligar metal com metal 1 e 2 não se conectar novamente com o metal 1?é o efeito antena ainda ocorrem?
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Sim, o efeito antena ainda irá ocorrer se você não voltar para MET1 ou até Met3 para esse assunto.Durante plasma etching de qualquer camada metálica, os íons serão recolhidos pelo metal em si (o wafer é realizada no potencial de terra) e, eventualmente, prejudicar o óxido de porta fino.A quantidade de carga (ou número de íons), coletados depende da área total de metal conectada a uma porta.Vamos supor que a taxa máxima de metal a área da porta permitido é de 3000 / 1 para um processo de determinada tecnologia.Então, você ainda vai violar a regra, se você ligar apenas três praças de MET1, então vá até MET2 e ligar 5000 quadrados para um portão de uma praça poli.O truque é para qualquer lugar um "jumper" em um nível mais metal (com uma área mínima de metal é suficiente) e depois voltar para baixo para o mais baixo de metal ou para ligar diodo zener para o caminho de metal (geralmente um único contato com um p - difusão é suficiente) para desviar a carga em excesso.

Espero que ajude!

C.

não metálicos grandes, nem sempre boa para antena.

Até à data, não tenho coração de qualquer encargo induzida danos difusões durante o processamento de wafer.Os potenciais que podem ocorrer não são altos o suficiente para causar danos irreversíveis ao difusões.Eu posso estar corrigido para as tecnologias <90nm, mas diferente do que, os óxidos de porta são o ponto fraco.
Se você tiver dúvidas, você deve sempre contactar o seu fab!Eles devem ser capazes de fornecer qualquer informação aplicáveis a sua opção de processo.

Atenciosamente,

C.

Você não pode ignorar efeito antena para portões!A minha declaração se referia a difusões.Assim, em geral, não vejo nenhum perigo para difusões de transistores no mínimo esses nós tech.O que você tem é basicamente uma estrutura de diodo, como substrato da pastilha é mantida em um potencial (normalmente solo) durante a gravação.Óxido Gate é afetado, pois é muito fina e, portanto, não pode suportar encargos que podem acumular-se durante a gravação.

Espero que ajude!

C.

Olá amigos,

Eu sempre tive uma dúvida muito estranha sobre o efeito da antena.

O que tenho entendido é "Antenna regulamentação restringe a área de metal que podem ser conectados de forma segura a uma porta".

Agora, se eu dividir o metal 1 porque a área era mais, e ter vias de metal 2, e mais uma vez, trazer de volta a ligação ao metal 1 utilizando outra via, desta forma estamos dividindo a área total do metal em três partes dizem a1, a2 , A3.Minha dúvida é quando o acoplamento final é feita, a carga total acumulada individualmente por A1, A2 e A3 vai juntar-se e causar danos ao óxido de porta.Então, como estamos evitando óxido de quebrar??

Obrigado

Encargo, correta só vai se acumular na camada de metal a ser gravado como este é o metal estar em contato direto com o plasma.Entendo a sua preocupação com a área de metal pequeno jumering por exemplo.metal1.Mas o importante é a área de metal diretamente expostos ao plasma!Portanto, se você usar um jumper MET2 pequena antena para evitar o efeito sobre MET1, você está no lado seguro.

Atenciosamente,

C.

se m2 de área é mais do que o limite vai causar efeito antena
que u tempo deve usar Jumber m3 pequenas
atenciosamente
analayout

Vejo que há ainda alguma confusão sobre o efeito da antena.Vamos tentar um exemplo:
Seu design regulamentação prevê que a taxa máxima de uma camada metálica dada a porta-poli é 3000 / 1.Supondo que temos um portão de minimal conectada a um rastreio metal1 muito tempo que exceda essa relação, podemos resolver este problema, interligando metal1 em metal2 usando apenas um pequeno traço MET2.Se quisermos "jumper" o traço metal1 com outro metal2 longo traço que também excede a nossa razão de máxima de 3000 / 1 (portão met/poly-) voltamos a violar a regra.A quantidade de carga acumulada durante uma etapa etch só depende da área de metal diretamente exposta ao plasma.Não importa se temos 1000 de praças de metal ligados ao nosso jumper nas camadas mais baixas do metal!

Espero que lhe dá uma imagem melhor.

Atenciosamente,

C.