Bok, svima Ako sam napraviti MOS tranzistor je širina duže od dužine u IC kruga, postoji li neki nedostatak na ovaj način, pogotovo u izgledu razini?

posebna aplikacija? na primjer?

zašto ne, ako pravilo dopušta?

Definitivno W može biti više od L od tranzistora. U svakom tehnologije poluvodiča tu će biti minimalna dužina i širina moguće za proizvodnju. Uz tehnologiju skupljanja (ljudi će se govoriti o 90nm, 65nm, a nedavno 45-nm tehnologije). Ne postoji ograničenje na maksimalnu duljinu i širinu. No, tu će biti nekih prblems poput stavljanja u izgledu, ako mi koristimo velike uređaje reći 100um. Dakle, oni će biti podijeljeni u prstima ne znači. paralelnih uređaja. U 90nm tehnologije uređaja> 12 hm širina ne preporuča. Slično L također imaju neke ograničenje od izmišljotina gledišta. U tom slučaju uređaji mogu se koristiti u seriji. Nadam se da bi to moglo očistiti svoje sumnje.

Da, ako vam treba više struje za pogon visok teret ili po zahtjevu. možete povećati tranzistor je W. Ali izgleda da ćete morati biti oprezni o parazitom koji će povećati zbog velikog W. Dakle, morate učiniti ukazivanje na W.

to je dopušteno ovisno o funkciji.

sigurni da možete to učiniti. za primjer vam je potrebna velika otpornika, a to je vrijednost nije exactlt.

puno vremena w je veći od l. Ako zelis koristiti stvarno velika širina provjeriti pouzdanost preporuka u dizajnu pravilo.

Većinu vremena želite W> L za višu GM. L obično je postavljen na fiksnu vrijednost za određenu tehnologiju. Na primjer, za 0.18um tehnologije obično postavljena L većina uređaja biti 0.35um. No, ponekad za posebne namjene i vi želite napraviti L> W, primjerice kada želite uređaj za rad u triodni regiji djelovati kao otpornik s velikim otporom, u tom slučaju vam svibanj želite veliki L za uređaj u kako bi se dobio veći otpor za "otpornik". A kada ste projektiranje trenutni ogledalo, vi svibanj također želite napraviti L veća od uobičajene vrijednosti (ali ne necessarliy veći od W), tako da možete dobiti bolji trenutni podudaranje, jer veći L značilo slabiji modulaciju dužina kanala, a time i dovesti do bolje trenutnom podudaranja.

Možete napraviti MOSFET s bilo velikih i malih L W, ili male L i veliki W. Oba su u redu, ja sam 100% jamčiti i koristiti ih sve vrijeme. Ako ste stvarno govori o W (perpindicular na smjer protok struje) onda za vrlo velike W (veći od 5-10um) trebali bi ga razbiti na više prstiju. Za moju 100.000 hm prekidača mogu koristiti 1000 prste na 100um svaki u 0.35um proces.

da u može napraviti, ali veća širina imati više parasitics također

morate uzeti u obzir ograničenja u tehnologiji

rfuser, vi ste odgovaranje na 3 + godina stari thread ...

Odvod struje MOSFET je izravno proporcionalna širini i obrnuto proporcionalna svojoj dužini kanala. Dakle, da imaju veliki odvod struje MOSFET širina je zadržao veći od kanala duljine. U standardnoj stanica knjižnici postoje različite stanice dostupne za istu funkciju (npr. NAND vrata). Oni se razlikuje u njihovom vožnje sposobnosti. Veća širina tranzistora, viša odvod struje pa veća vožnje sposobnosti. No, veći širina uzrokuje veći vrata kapacitivnost koje mogu uzrokovati veći pobio na ulazu. Dakle, ovisno o širini pričuve tranzistora može biti 2X, 3X, 4X kanala duljine.