Author Topic: इस bandgap तापमान के साथ क्यों गंभीरता से बदलती है?  (Read 939 times)

jake

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मुझे कौन बता क्यों इस bandgap वोल्टेज तापमान के साथ गंभीरता से भिन्न हो सकते हैं? यह कमरे के तापमान पर है, bandgap वोल्टेज निर्गम 1.2074v है, लेकिन 80 पर, ° C निर्गम वोल्टेज 2.1099v है. यहाँ, कुछ ट्रांजिस्टर असामान्य रूप से काम कर रहे हैं.

Btrend

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ru यकीन है कि N1 और N3 उर ckt में एक ही क्षमता में हैं? bandgap डिजाइन में, PTAT पीढ़ी Vbe1 = Vbe2 + Iptat * आर का गठन किया है, लेकिन मैं Vn1 यू चलो = Vn3 नहीं दिख रहा है.

Fom

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अपने सर्किट अस्पष्ट है. मैं कुछ PMOS ट्रांजिस्टर 6u या 8u के आकार को नहीं पहचान सकते हैं. अपने उत्पादन कहां है? VREF? लेकिन अगर आपके R2 r = 0 आप 1.2V कैसे प्राप्त कर सकते हैं. यह सिर्फ Q1 PNP Vbe होना चाहिए. R1 के लिए r =?.

lijun_sun

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मुझे लगता है कि आप bg की सबसे अच्छी बात नहीं मिला.

bamboo

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जेक, Btrend asid के रूप में, मुझे लगता है कि आप जांच करनी चाहिए VN1 अगर अपने सर्किट में = VN3. और अपने सर्किट में, एनपीएम-1 और एनपीएम-2 एक ही w / एल अनुपात है, लेकिन एक 30uA रूप में चिह्नित किया जाता है और अन्य 2.5 UA चिह्नित? यह मेरे लिए सस्ती नहीं है.

jake

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हाय Btrend, मैं जानता हूँ कि N1 और N3 एक ही क्षमता में जरूरी है, और मैं cascode प्रवर्धक द्वारा यह सुनिश्चित है कि वे एक ही क्षमता में हैं, सिर्फ उन दोनों के बीच अंतर 0.3mv. मैं तापमान के साथ MPB1 धाराओं में और MPB2 वृद्धि गंभीरता से पाते हैं, क्यों? हाय Fom, क्षमा करें, मैं सर्किट reupload. हाँ, मेरी उत्पादन Vref है, और प्रतिरोधों शून्य के बराबर नहीं कर रहे हैं, वे TSMC के rnwsti प्रतिरोधों हैं. आकार प्रदर्शित किया नहीं है. हाय lijun_sun, जहां मेरी सर्किट में bg की सबसे अच्छी बात है लगता है?

jake

  • Guest
[बोली = बांस] jake, Btrend asid के रूप में, मुझे लगता है कि आप जांच करनी चाहिए VN1 अगर = VN3 अपने सर्किट में. और अपने सर्किट में, एनपीएम-1 और एनपीएम-2 एक ही w / एल अनुपात है, लेकिन एक 30uA रूप में चिह्नित किया जाता है और अन्य 2.5 UA चिह्नित? यह मेरे लिए सस्ती नहीं है. बोली [/] बांस प्रिय, क्षमा करें illegibile सर्किट के लिए, नया एक unpload पर देखो कृपया. और इस संरचना attechment कागज से ली गई है.

bamboo

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प्रिय जैक, कागज के आधार पर, VBG = Vbe2 N (R2/R1) ln [एम (N +1)] अपने सर्किट में R2/R1 VT * = 7.4, N = 1. तो तुम एम 16 के बारे में हो जाने के क्रम में शून्य तापमान गुणांक प्राप्त करने चाहिए. जब Vbe2 गुणांक 2.2mV / सी अस्थायी है और VT 0.085 mV / सी है, क्योंकि मैं अपने सर्किट में द्विध्रुवी के अनुपात नहीं देखा था. शायद तुम यह पहले की जाँच करनी चाहिए

Btrend

  • Guest
[बोली] मैं MPB1 में धाराओं पाते हैं और तापमान के साथ MPB2 वृद्धि गंभीरता से, क्यों? बोली [/] क्योंकि तापमान में वृद्धि => कम Vbe => MPB1 की Vgs = Impb1> बढ़ रही है बढ़ती जा रही है, लेकिन कैसे गंभीर स्थिति यू का सामना करना पड़ा था? 30uA 300uA?

jake

  • Guest
[बोली = बांस] प्रिय जैक, कागज के आधार पर, VBG = Vbe2 N (R2/R1) ln [एम (N +1)] अपने सर्किट में R2/R1 VT * = 7.4, N = 1. तो तुम एम 16 के बारे में हो जाने के क्रम में शून्य तापमान गुणांक प्राप्त करने चाहिए. जब Vbe2 गुणांक 2.2mV / सी अस्थायी है और VT 0.085 mV / सी है, क्योंकि मैं अपने सर्किट में द्विध्रुवी के अनुपात नहीं देखा था. शायद आप इसे [/ उद्धरण] प्रिय बांस के पहले की जांच करने के लिए वास्तव में Vbe2 तापमान coefficent सिर्फ 1.89mV / सी है, मेरे मामले में नहीं 2.2mV / सी चाहिए. इतना एम = 8, है ना? यह एक शून्य तापमान गुणांक प्राप्त कर सकते हैं.

Fom

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चलो गणना (R2/R1) एन एल.एन. [एम (1 एन)] VT * = 1 * [(185/250) (8 * 2) एल.एन.] * VT 2.05 = * VT तापमान गुणांक 2.05 * 0.085mV / सी = ०.१७४४ mV / सी. लेकिन Vbe2 के गुणांक तापमान है 1.89mV / सी. एक आदेश उच्च!

ambreesh

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मेरा सुझाव है कि आप अपने ट्रांजिस्टर (PMOS) की हालत देख whoes गेट N7 के पास जमीन से जुड़ा है. जब मैं एक ही impement की कोशिश कर रहा था, यह सिर्फ ट्रांजिस्टर M6 (के रूप में समाचार पत्र में उल्लेख किया है) संतृप्ति में रहने के लिए पागल हो गया था. मैं लेखक भी भेजी थी, M6 के गेट कनेक्शन के बारे में पूछ अगर यह एसी जमीन की जरूरत है. लेकिन कागज में कोई उत्तर Node6 VtM9 + वॉन बैठना चाहिए. Node5 potentila M6 के गेट तो यह VtM6 + VonM6 होगा फैसला

jake

  • Guest
[बोली = अम्बरीश] मेरा सुझाव है कि आप अपने ट्रांजिस्टर (PMOS) की हालत देख whoes गेट N7 के पास जमीन से जुड़ा है. जब मैं एक ही impement की कोशिश कर रहा था, यह सिर्फ ट्रांजिस्टर M6 (के रूप में समाचार पत्र में उल्लेख किया है) संतृप्ति में रहने के लिए पागल हो गया था. मैं लेखक भी भेजी थी, M6 के गेट कनेक्शन के बारे में पूछ अगर यह एसी जमीन की जरूरत है. लेकिन कागज में कोई उत्तर Node6 VtM9 + वॉन बैठना चाहिए. Node5 potentila M6 के गेट का फैसला किया है तो यह VtM6 + VonM6 बोली [/] प्रिय अम्बरीश, आप ठीक कह रहे हैं, इस संरचना में, मेरा अनुकरण से, मुझे लगता है कि मैं ट्रांजिस्टर M9 (समाचार पत्र में उल्लेख किया है) इस बात की गारंटी नहीं दे सकते हैं सही हालत में काम करते हैं. Node6 की क्षमता VtM9 + वॉन कम से कम है. यही कारण है, M8 और M13 (कागज में) का उल्लेख किया ट्रांजिस्टर कभी कभी रैखिक में काम करते हैं. तो सवाल प्रवर्धक में हो सकता है. लेकिन मैं cascode M6 और M7 ट्रांजिस्टर को दूर करने की कोशिश की है, समस्या गायब नहीं है.

ambreesh

  • Guest
जेक प्रिय, यदि हम संदर्भ वोल्टेज में तापमान के साथ एक increse देख रहे हैं यकीन है कि प्रतिक्रिया नियंत्रण में नहीं है के लिए एक बात है. यू मेगावाट, और सभी दूसरों को, जो चर्चा में भाग लिया सहमत होगा कि Vbe तापमान में वृद्धि के साथ कम होगा. तो अगर Vref का मतलब है बढ़ती जा रही है कि हम उन पैरों में वर्तमान में एक वृद्धि है. केवल वर्तमान में increse Vbe में increse और भी IR ड्रॉप नेतृत्व करेंगे. हम पता लगाने के लिए क्यों पैरों में वर्तमान incresing है की जरूरत है. और फिर responcible तत्व का ख्याल रखना. आशा है कि यह मदद करता है

 

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